Ректор:

+7 (8422) 43-06-43
rector@ulstu.ru

Приемная комиссия:

+7 (8422) 43-05-05, +7 (909) 355-70-69
pk@ulstu.ru

Иностранным гражданам:

+7 (8422) 778-458
admission@ulstu.ru


Разработки ученых УлГТУ внедрены в радиоэлектронную промышленность

11 августа 2022 г.
Базовая кафедра «Радиотехника, опто- и наноэлектронка» Ульяновского государственного технического университета совместно с Ульяновским филиалом института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук работает над внедрением эффективных средств диагностического контроля электронных компонентов.
За последние годы учеными разработаны не имеющие аналогов в России и за рубежом приборы для измерения теплоэлектрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем различных классов. Они применяются на промышленных предприятиях в сфере радиоэлектроники.

«Нами разработан и изготавливается по заказам предприятий измеритель теплового сопротивления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Подобных приборов в России не производится. По функциональным возможностям и техническим характеристикам он не уступает зарубежному аналогу T3Ster, но на порядок дешевле. Различные модификации измерителя внедрены и используются на предприятиях электронной промышленности Воронежа, Зеленограда, Санкт-Петербурга, Ульяновска, Краснознаменска, Брянска, Бреста», - рассказал заведующий кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника», профессор Вячеслав Сергеев.

Прибор используется для контроля тепловых параметров полупроводниковых изделий, которые являются критически важными для обеспечения надежности работы радиоэлектронной аппаратуры. Для каждого вида и класса полупроводниковых приборов разработана своя модификация.

«Одна из первых версий измерителя - измеритель теплового импеданса светодиодов в 2013 году был продан немецкому предприятию. Данная версия используется там и в настоящее время», - добавил Вячеслав Сергеев.

Кроме этого, специалистами и аспирантами базовой кафедры и учеными УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН разработана гамма методов и средств измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий различных классов. Создан оригинальный неразрушающий метод и экспериментальная установка для определения напряжения шнурования тока в мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторах, а также оригинальный метод и аппаратно-программный комплекс для измерения переходных тепловых характеристик цифровых интегральных микросхем по времени задержки распространения сигнала. Во всех этих разработках активное участие принимают студенты радиотехнического факультета, проходящие специализацию на базовой кафедре.